SI5902DC-T1-E3

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Herstellerteil	SI5902DC-T1-E3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	SI5902DC-T1-E3 PDF

Verfügbarkeit

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SI5902DC-T1-E3 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.9A
rds auf (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	7.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
Leistung max:	1.1W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten:	1206-8 ChipFET™

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