AUIRF7343Q

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Herstellerteil	AUIRF7343Q
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	AUIRF7343Q PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	637.769
Einzelpreis	$ 0.00000

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AUIRF7343Q Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	55V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.7A, 3.4A
rds auf (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	36nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	740pF @ 25V
Leistung max:	2W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO

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