PMWD16UN,518

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Herstellerteil	PMWD16UN,518
Hersteller	NXP Semiconductors
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	PMWD16UN,518 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	637.713
Einzelpreis	$ 0.00000

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PMWD16UN,518 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	9.9A
rds auf (max) @ id, vgs:	19mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	23.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1366pF @ 16V
Leistung max:	3.1W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-TSSOP

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