STG3P2M10N60B

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Herstellerteil	STG3P2M10N60B
Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	STG3P2M10N60B PDF

Verfügbarkeit

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STG3P2M10N60B Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	SEMITOP®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Aufbau:	Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	19 A
Leistung max:	56 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 7A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	10 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	0.72 nF @ 25 V
Eingang:	Single Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SEMITOP®2
Gerätepaket des Lieferanten:	SEMITOP®2

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