APTGV50H120T3G

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Herstellerteil	APTGV50H120T3G
Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	483.709
Einzelpreis	$ 0.00000

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APTGV50H120T3G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	NPT, Trench Field Stop
Aufbau:	Full Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	75 A
Leistung max:	270 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	250 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	3.6 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SP3
Gerätepaket des Lieferanten:	SP3

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