APTGFQ25H120T2G

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Herstellerteil	APTGFQ25H120T2G
Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - Module
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	APTGFQ25H120T2G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	483.704
Einzelpreis	$ 0.00000

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APTGFQ25H120T2G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	NPT and Fieldstop
Aufbau:	Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	40 A
Leistung max:	227 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	250 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	2.02 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	SP2
Gerätepaket des Lieferanten:	SP2

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