W979H6KBVX2E TR

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Herstellerteil	W979H6KBVX2E TR
Hersteller	Winbond Electronics Corporation
Beschreibung	IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
Kategorie	integrierte Schaltkreise
Familie	Erinnerung
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	W979H6KBVX2E TR PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	703.427
Einzelpreis	$ 3.97386

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W979H6KBVX2E TR Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße:	512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	400 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	134-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	134-VFBGA (10x11.5)

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