TC58BYG1S3HBAI6

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Herstellerteil	TC58BYG1S3HBAI6
Hersteller	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Beschreibung	IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA
Kategorie	integrierte Schaltkreise
Familie	Erinnerung
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	TC58BYG1S3HBAI6 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	338
Einzelpreis	$ 3.53000

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TC58BYG1S3HBAI6 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	Benand™
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	FLASH
Technologie:	FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße:	2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	25ns
Zugriffszeit:	25 ns
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	67-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	67-VFBGA (6.5x8)

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