QSH29TR

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Herstellerteil	QSH29TR
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	QSH29TR PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.253
Einzelpreis	$ 0.80000

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QSH29TR Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	70V
Widerstand - Basis (r1):	10kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	-
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	500 @ 200mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	1.25W
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten:	TSMT6 (SC-95)

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