EMG6T2R

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Herstellerteil	EMG6T2R
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	EMG6T2R PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	3.691
Einzelpreis	$ 0.41000

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EMG6T2R Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	47kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	-
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	250MHz
Leistung max:	150mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten:	EMT5

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