NSBA114EDXV6T5G

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Herstellerteil	NSBA114EDXV6T5G
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NSBA114EDXV6T5G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	48.000
Einzelpreis	$ 0.04000

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NSBA114EDXV6T5G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	10kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	10kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	35 @ 5mA, 10V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	500mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-563

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