NSV40300MDR2G

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Herstellerteil	NSV40300MDR2G
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	LOW VCE(SAT) TRANSISTOR, DUAL PN
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NSV40300MDR2G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.500
Einzelpreis	$ 0.31000

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NSV40300MDR2G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	40V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	170mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	180 @ 1A, 2V
Leistung max:	653mW
Frequenz - Übergang:	100MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOIC

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