STGB30H60DLFB

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Herstellerteil	STGB30H60DLFB
Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	STGB30H60DLFB PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	990
Einzelpreis	$ 2.50000

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STGB30H60DLFB Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 30A
Leistung max:	260 W
Schaltenergie:	393µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	149 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-/146ns
Testbedingung:	400V, 30A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK

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