NGTB75N65FL2WG

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Herstellerteil	NGTB75N65FL2WG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NGTB75N65FL2WG PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	88
Einzelpreis	$ 7.82000

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NGTB75N65FL2WG Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 75A
Leistung max:	595 W
Schaltenergie:	1.5mJ (on), 1mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	310 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	110ns/270ns
Testbedingung:	400V, 75A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	80 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247

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