NGTB10N60R2DT4G

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Herstellerteil	NGTB10N60R2DT4G
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NGTB10N60R2DT4G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.630
Einzelpreis	$ 0.58000

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NGTB10N60R2DT4G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	20 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 10A
Leistung max:	72 W
Schaltenergie:	412µJ (on), 140µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	53 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	48ns/120ns
Testbedingung:	300V, 10A, 30Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	90 ns
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK

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