APT80GA90S

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Herstellerteil	APT80GA90S
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung	IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	150
Einzelpreis	$ 9.31000

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APT80GA90S Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	POWER MOS 8®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	900 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	145 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	239 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.1V @ 15V, 47A
Leistung max:	625 W
Schaltenergie:	1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	200 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	18ns/149ns
Testbedingung:	600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gerätepaket des Lieferanten:	D3PAK

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