FGH30T65UPDT-F155

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Herstellerteil	FGH30T65UPDT-F155
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT 650V 60A 250W TO247-3
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FGH30T65UPDT-F155 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	436
Einzelpreis	$ 4.83000

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FGH30T65UPDT-F155 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Not For New Designs
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 30A
Leistung max:	250 W
Schaltenergie:	760µJ (on), 400µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	155 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	22ns/139ns
Testbedingung:	400V, 30A, 8Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	43 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247 Long Leads

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