FGB40N60SM

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Herstellerteil	FGB40N60SM
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FGB40N60SM PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	45
Einzelpreis	$ 3.65000

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FGB40N60SM Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Last Time Buy
igbt-Typ:	Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 40A
Leistung max:	349 W
Schaltenergie:	870µJ (on), 260µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	119 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	12ns/92ns
Testbedingung:	400V, 40A, 6Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263AB (D²PAK)

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