IRGR2B60KDTRRPBF

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Herstellerteil	IRGR2B60KDTRRPBF
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	IRGR2B60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IRGR2B60KDTRRPBF PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	138
Einzelpreis	$ 0.88000

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IRGR2B60KDTRRPBF Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	6.3 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	8 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.25V @ 15V, 2A
Leistung max:	35 W
Schaltenergie:	74µJ (on), 39µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	12 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	11ns/150ns
Testbedingung:	400V, 2A, 100Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	68 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	D-Pak

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