RGW80TK65DGVC11

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Herstellerteil	RGW80TK65DGVC11
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	RGW80TK65DGVC11 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	440
Einzelpreis	$ 6.10000

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RGW80TK65DGVC11 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	39 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 40A
Leistung max:	81 W
Schaltenergie:	760µJ (on), 720µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	110 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	44ns/143ns
Testbedingung:	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	92 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3PFM, SC-93-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3PFM

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