FGA25N120ANTDTU

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Herstellerteil	FGA25N120ANTDTU
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FGA25N120ANTDTU PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.229
Einzelpreis	$ 3.50000

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FGA25N120ANTDTU Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	NPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.65V @ 15V, 50A
Leistung max:	312 W
Schaltenergie:	4.1mJ (on), 960µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	200 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	50ns/190ns
Testbedingung:	600V, 25A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	350 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3P

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