NGD18N45CLBT4G

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Herstellerteil	NGD18N45CLBT4G
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NGD18N45CLBT4G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	360
Einzelpreis	$ 0.60000

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NGD18N45CLBT4G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	500 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	18 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	50 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 4.5V, 7A
Leistung max:	115 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Logic
Gate-Gebühr:	-
td (ein/aus) bei 25 °c:	420ns/2.9µs
Testbedingung:	300V, 1kOhm, 5V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK

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