STGW80H65DFB-4

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Herstellerteil	STGW80H65DFB-4
Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	IGBT BIPO 650V 80A TO247
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	STGW80H65DFB-4 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	320.494
Einzelpreis	$ 4.72500

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STGW80H65DFB-4 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	120 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	240 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 80A
Leistung max:	469 W
Schaltenergie:	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	414 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	84ns/280ns
Testbedingung:	400V, 80A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	85 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-4
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-4L

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