STGWT40H65FB

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Herstellerteil	STGWT40H65FB
Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	STGWT40H65FB PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	961.445
Einzelpreis	$ 4.30000

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STGWT40H65FB Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 40A
Leistung max:	283 W
Schaltenergie:	498mJ (on), 363mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	210 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	40ns/142ns
Testbedingung:	400V, 40A, 5Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3P

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