APT35GP120B2DQ2G

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Herstellerteil	APT35GP120B2DQ2G
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung	IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	APT35GP120B2DQ2G PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	274.696
Einzelpreis	$ 15.17000

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APT35GP120B2DQ2G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	POWER MOS 7®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	96 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	140 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.9V @ 15V, 35A
Leistung max:	543 W
Schaltenergie:	750µJ (on), 680µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	150 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	16ns/95ns
Testbedingung:	600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3 Variant
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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