FGA30N65SMD

Das Bild dient als Referenz. Bitte kontaktieren Sie uns, um ein echtes Bild zu erhalten

Herstellerteil	FGA30N65SMD
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FGA30N65SMD PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	11.102
Einzelpreis	$ 1.95000

FGA30N65SMD Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FGA30N65SMD Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 30A
Leistung max:	300 W
Schaltenergie:	716µJ (on), 208µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	87 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	14ns/102ns
Testbedingung:	400V, 30A, 6Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	35 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3PN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.