IRGR3B60KD2TRLP

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Herstellerteil	IRGR3B60KD2TRLP
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	IGBT WITH RECOVERY DIODE
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IRGR3B60KD2TRLP PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	8.989
Einzelpreis	$ 0.60000

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IRGR3B60KD2TRLP Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	7.8 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	15.6 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 3A
Leistung max:	52 W
Schaltenergie:	62µJ (on), 39µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	13 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	18ns/110ns
Testbedingung:	400V, 3A, 100Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	77 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	D-Pak

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