NGTB40N135IHRWG

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Herstellerteil	NGTB40N135IHRWG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT TRENCH/FS 1350V 80A TO247
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - igbts - einzeln
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	NGTB40N135IHRWG PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	6.824.510
Einzelpreis	$ 5.67000

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NGTB40N135IHRWG Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1350 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 40A
Leistung max:	394 W
Schaltenergie:	1.3mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	234 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-/250ns
Testbedingung:	600V, 40A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247

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