FCB070N65S3

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Herstellerteil	FCB070N65S3
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FCB070N65S3 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.116
Einzelpreis	$ 4.65000

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FCB070N65S3 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	SuperFET® III
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	44A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 4.4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	78 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3090 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	312W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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