SCT3120ALGC11

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Herstellerteil	SCT3120ALGC11
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	SCT3120ALGC11 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	469.608
Einzelpreis	$ 7.98000

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SCT3120ALGC11 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	21A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	18V
rds auf (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 3.33mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	38 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -4V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	460 pF @ 500 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	103W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247N
Paket / Koffer:	TO-247-3

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