GA08JT17-247

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Herstellerteil	GA08JT17-247
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	GA08JT17-247 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.877.500
Einzelpreis	$ 52.14000

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GA08JT17-247 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	-
Technologie:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1700 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	8A (Tc) (90°C)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	250mOhm @ 8A
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	48W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247AB
Paket / Koffer:	TO-247-3

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