G3R350MT12J

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Herstellerteil	G3R350MT12J
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	G3R350MT12J PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	664
Einzelpreis	$ 5.90000

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G3R350MT12J Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	G3R™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	15V
rds auf (max) @ id, vgs:	420mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	2.69V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 15 V
vgs (max):	±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	334 pF @ 800 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	75W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263-7
Paket / Koffer:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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