RM8N650TI

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Herstellerteil	RM8N650TI
Hersteller	Rectron USA
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO220F
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	267.886
Einzelpreis	$ 0.52000

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RM8N650TI Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	8A (Tj)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	680 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	31.7W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220F
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack

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