FDB8832

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Herstellerteil	FDB8832
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FDB8832 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.807
Einzelpreis	$ 3.32000

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FDB8832 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	PowerTrench®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	34A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	265 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	11400 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	300W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263AB
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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