RT1E040RPTR

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Herstellerteil	RT1E040RPTR
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	RT1E040RPTR PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.940
Einzelpreis	$ 0.55000

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RT1E040RPTR Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	45mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1000 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	550mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-TSST
Paket / Koffer:	8-SMD, Flat Lead

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