RYC002N05T316

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Herstellerteil	RYC002N05T316
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	RYC002N05T316 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	28.740
Einzelpreis	$ 0.46000

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RYC002N05T316 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	50 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	200mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	800mV @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	26 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	350mW (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SST3
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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