TPH4R606NH,L1Q

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Herstellerteil	TPH4R606NH,L1Q
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	TPH4R606NH,L1Q PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	7
Einzelpreis	$ 1.81000

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TPH4R606NH,L1Q Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	32A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	49 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3965 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.6W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN

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