TK100L60W,VQ

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Herstellerteil	TK100L60W,VQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	TK100L60W,VQ PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	66
Einzelpreis	$ 33.12000

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TK100L60W,VQ Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	DTMOSIV
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	360 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	15000 pF @ 30 V
fet-Funktion:	Super Junction
Verlustleistung (max.):	797W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3P(L)
Paket / Koffer:	TO-3PL

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