RD3H200SNFRATL

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Herstellerteil	RD3H200SNFRATL
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.344
Einzelpreis	$ 1.62000

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RD3H200SNFRATL Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	45 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	28mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	950 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	20W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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