XPH6R30ANB,L1XHQ

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Herstellerteil	XPH6R30ANB,L1XHQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	9.881
Einzelpreis	$ 1.93000

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XPH6R30ANB,L1XHQ Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	45A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6.3mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3240 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	960mW (Ta), 132W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)

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