APT17F120J

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Herstellerteil	APT17F120J
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	APT17F120J PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	20
Einzelpreis	$ 26.56000

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APT17F120J Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	POWER MOS 8™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	18A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	580mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	300 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	9670 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	545W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	ISOTOP®
Paket / Koffer:	SOT-227-4, miniBLOC

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