BSZ120P03NS3EGATMA1

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Herstellerteil	BSZ120P03NS3EGATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 11A/40A TSDSON-8
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	BSZ120P03NS3EGATMA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	14.625
Einzelpreis	$ 0.24000

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BSZ120P03NS3EGATMA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.1V @ 73µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	45 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3.36 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.1W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TSDSON-8
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN

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