SCT2750NYTB

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Herstellerteil	SCT2750NYTB
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	SCT2750NYTB PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	1.462
Einzelpreis	$ 6.79000

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SCT2750NYTB Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1700 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5.9A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	18V
rds auf (max) @ id, vgs:	975mOhm @ 1.7A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 630µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	275 pF @ 800 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	57W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-268
Paket / Koffer:	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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