IRFH8202TRPBF

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Herstellerteil	IRFH8202TRPBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IRFH8202TRPBF PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.557
Einzelpreis	$ 1.67000

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IRFH8202TRPBF Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	HEXFET®, StrongIRFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	25 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	47A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.05mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	7174 pF @ 13 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.6W (Ta), 160W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN

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