IPN80R2K0P7ATMA1

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Herstellerteil	IPN80R2K0P7ATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	IPN80R2K0P7ATMA1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	3.957
Einzelpreis	$ 0.95000

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IPN80R2K0P7ATMA1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	CoolMOS™ P7
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 940mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	9 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	175 pF @ 500 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	6W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT223
Paket / Koffer:	TO-261-3

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