RF4C100BCTCR

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Herstellerteil	RF4C100BCTCR
Hersteller	ROHM Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.303
Einzelpreis	$ 0.77000

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RF4C100BCTCR Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.8V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	15.6mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	23.5 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1660 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2W (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	HUML2020L8
Paket / Koffer:	8-PowerUDFN

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