TK10A60E,S5X

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Herstellerteil	TK10A60E,S5X
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	TK10A60E,S5X PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	24
Einzelpreis	$ 1.70000

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TK10A60E,S5X Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Last Time Buy
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1300 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	45W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220SIS
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack

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