FJ4B01100L1

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Herstellerteil	FJ4B01100L1
Hersteller	Panasonic
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FJ4B01100L1 PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	2.284
Einzelpreis	$ 0.58000

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FJ4B01100L1 Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	12 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.2A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	74mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1.2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	7 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	459 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	360mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	XLGA004-W-0808-RA01
Paket / Koffer:	4-XFLGA, CSP

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