NTD4806NA-1G

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Herstellerteil	NTD4806NA-1G
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Verfügbarkeit

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Einzelpreis	$ 0.10000

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NTD4806NA-1G Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11.3A (Ta), 79A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 4.5 V
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2.142 pF @ 12 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	I-PAK
Paket / Koffer:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

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