FDI33N25TU

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Herstellerteil	FDI33N25TU
Hersteller	Rochester Electronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Familie	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Lebenszyklus:	New from this manufacturer.
Lieferung:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datenblatt	FDI33N25TU PDF

Verfügbarkeit

Auf Lager	617
Einzelpreis	$ 1.09000

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FDI33N25TU Spezifikationen

Typ	Beschreibung
Serie:	UniFET™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	250 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	33A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	94mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	48 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2.135 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	235W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	I2PAK (TO-262)
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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